リンテックはこのほど、AI向けなど先端半導体分野における材料・プロセス開発体制を強化するため、研究所先端技術棟に、クリーンルームを備えた研究施設「アドバンストディベロップメントセンター」（床面積：計158㎡）を新設した。総投資額は約16億円。
　AI向けデバイスの高性能化に伴い、HBM（高帯域メモリー）やロジックを含む先端半導体の分野では、複数チップを高密度に実装・積層して一つのパッケージに統合するチップレット技術が進展している。また、チップの高密度化・多層化が進む中、接着剤を使わずにチップ同士を直接接合するハイブリッドボンディングなどの技術も重要性を増している。一方で、直接接合はわずかな汚染や残渣が歩留まりや信頼性に大きく影響するため、チップを扱う製造工程では材料やプロセスの適切な管理・評価が不可欠。
　こうした背景から新設された同センターは、ISOクラス5およびクラス7のクリーンルーム環境を整備し、リンテック製の各種装置に加え、高精度・高平滑グラインダー、グルービングレーザー、ダイサーなどの中間・後工程設備、検査装置を導入。低汚染・低残渣が強く求められる半導体関連テープを含む材料やプロセスについて、量産ラインに近い条件で評価できる体制を拡充・強化していく。
　またリンテックは、外部の研究機関や企業との共創により、ダイレクト・トランスファー・ボンディングに関わる材料・プロセスなどの新技術開発にも取り組んでおり、こうした共創型研究開発を推進する拠点としても、同センターを活用する。独自の製品開発はもとより、顧客立会いのもとで材料評価・プロセス検証も行い、先端半導体技術の進化への対応力を強化していく。